Reporte de Práctica en Laboratorio: Transistores FET

 

1.    Resumen

 

En este documento se explica la implementación del circuito propuesto en el laboratorio con la finalidad de identificar las formas de onda de voltaje DS y corriente en D que se tienen en el dispositivo.

 

2.    Introducción

 

Los transistores FET son dispositivos semiconductores que cuentan con dos uniones de materiales tipo P y tipo N y se tienen canales N y canales P.

Se denominan así porque durante su funcionamiento la señal de entrada crea un campo eléctrico que controla el paso de la corriente a través del paso del dispositivo. Estos transistores también se denominan unipolares para distinguirlos de los transistores bipolares de unión y para destacar el hecho de que sólo un tipo de portadores -electrones o huecos- intervienen en su funcionamiento. Tienen las siguientes características:

    Dispositivo unipolar: un único tipo de portadores de carga .

    Ocupa menos espacio en un circuito integrado que el bipolar, lo que supone una gran ventaja para aplicaciones de microelectrónica.

    Tienen una gran impedancia de entrada (del orden de MΩ)

Existen dos tipos de transistores de efecto campo:

De unión: JFET o simplemente FET

De puerta aislada: IGFET, MOS, MOST o MESFET

En comparación con los transistores bipolares, los FET presentan una impedancia de entrada muy elevada y además consumen muy poca potencia, por lo que su uso se ha extendido sobre todo en los circuitos integrados. También encuentran aplicaciones en circuitos de alta frecuencia ( microondas), especialmente los MESFET de arseniuro de galio, los cuales tienen un tiempo de respuesta muy rápido debido a la alta movilidad de los electrones en este material.

      Elementos o terminales:

Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barrita de material p ó n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el canal una unión p-n. En los extremos del canal se hacen sendas conexiones óhmicas llamadas respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), más una conexión llamada puerta (g-gate) en el collar.

Fig. 1. Croquis de un FET con canal N.

Fig. 2.  Símbolos gráficos para un FET de canal N.

Fig. 3. Símbolos gráficos para un FET de canal P.

3.    Metodología

 

El circuito implementado se describe en la Fig. 4.

Fig. 4.  Circuito

1.    Se conecto el circuito como se muestra en la Fig. 4.

2.    Se revisaron las formas de onda de voltaje en DS y corriente D.

4.    Resultados

 

En la Fig. 5 se muestran las formas de ondas de voltaje en DS y en la Fig. 6 las formas de ondas de voltaje en D .

                   

Fig. 5 Ondas de voltaje en DS.                         Fig. 6 Ondas de voltaje en D.

5.    Conclusión

En esta práctica se pudo observar las dos diferentes conexiones que se pudieron hacer en esta práctica, pudimos ver las señales que nos daba el osciloscopio cuando en el circuito anteriormente visto mediamos primero la DS para poder observar la señal que nos mandaba. Y ya por ultimo observamos la corriente D que pudimos medir con el circuito para poder observar en el osciloscopio. En si la práctica no estuvo muy difícil es solo cuestión de entenderle.

 

6.    Referencias bibliográficas

 

[1] S/A. (2015). Transistores de Efecto de Campo. 25 de noviembre del 2019, de ICMM Sitio web: https://www.icmm.csic.es/fis/gente/josemaria_albella/electronica/8%20Transistores%20de%20Efecto%20Campo.pdf

[2] S/A. (2007). Transistores de Efecto de Campo. 24 de noviembre del 2019, de UVIGO Sitio web: http://mdgomez.webs.uvigo.es/DEI/Guias/tema7.pdf